Как сообщает BusinessKorea, проблему со случайными зависаниями и перезагрузкой 128-гигабайтной модели iPhone 6, с которой столкнулись некоторые пользователи не удастся решить программным путем. Она аппаратная и, скорее всего, связана с некорректной работой контроллера флеш-памяти.

В 128-гигабайтном iPhone 6 Plus применяется NAND-память с трехуровневыми ячейками (TLC). Такой модуль в сравнении с одноуровневым (SLC) может хранить больше информации при сохранении тех же габаритных размеров, но менее надежен и приводит к появлению большего количества ошибок. Для удешевления производства в Apple предпочли использовать этот модуль, а не более дорогой многоуровневый (MLC), который применяется в других устройствах компании.

Сейчас потребители, столкнувшиеся с зависаниями и перезагрузками iPhone 6 Plus, могут обменять смартфоны на такие же новые. Если подтвердится, что проблемы возникают из-за накопителя, Apple придется вносить коррективы в технологическую линию.