Первые тесты новой памяти DDR5 — прирост до двух раз

Егор


Как мы уже знаем, новый стандарт памяти DDR5 дебютирует вместе с процессорами Intel 12-ого поколения (Alder Lake-S), которые могут появиться на рынке уже осенью этого года. И теперь китайская компания Longsys поделилась первыми тестами DDR5, сравнив ее с DDR4.

Использовалось два модуля DDR5 по 16 ГБ, которые работали на частоте в 4800 МГц и имели задержки CL40, при этом рабочее напряжение у новинок — 1.1 В. Им противостояли два модуля DDR4 также по 16 ГБ, но уже на частоте 2400 МГц с задержками CL22 и напряжением 1.2 В. В общем и целом, это тест именно заводских спецификаций памяти (JEDEC), без учета разгона — это позволяет оценить прирост производительности за поколение.

И временами он внушителен: например, в популярном в Китае бенчмарке Master Lu в тесте памяти разница между DDR4 и DDR5 близка к двукратной (91757 баллов против 193864). Тест памяти в AIDA64 менее оптимистичен — реальная разница составляет 10-28%, а задержка в случае с DDR5 вдвое выше, чем с DDR4 (56.8 нс против 112.1).



Однако нужно понимать, что тесты DDR5 проводились на инженерном образце процессора Intel 12-ого поколения, который работал на частоте всего 800 МГц, что могло стать «бутылочным горлышком». К тому же сам контроллер памяти и материнская плата еще будут дорабатываться, так что скорее всего на релизе разница в скорости работы между DDR4 и DDR5 будет еще больше, но все еще не факт, что быстрые модули старой памяти будут отставать от стоковых модулей новой. 
19
iGuides в Яндекс.Дзен —  zen.yandex.ru/iguides
iGuides в Telegram — t.me/iguides
iGuides в VK —  vk.com/iguides
iGuides в Ok.ru — ok.ru/iguides

Будь в курсе последних новостей из мира гаджетов и технологий

Мы в соцсетях

Комментарии

–537
вопрос зачем? майнить?))) в играх даже 3466mhz много )))
17 марта 2021 в 08:48
#