Компания Samsung на днях сообщила о запуске в массовое производство блоков DRAM объёмом 4 Гб, в основе которых заложено второе поколение интерфейса высокоскоростной шины памяти (HBM2).
Samsung поясняет, что этот тип памяти в семь раз быстрей сегодняшнего лимита DRAM. Новые функции, которые принесёт новое поколение, это параллельная работа систем, большее количество приложений, открытых за раз, плюс быстрое машинное обучение. Прогнозируется увеличение скорости рендеринга графики, что повлечёт за собой развитие качества картинки в играх.
Блоки DRAM обладают пропускной шиной со скоростью 256 Гбит/с — что в два раза быстрее HBM1 DRAM, установленной в AMD Fury.
